Sesión nº12 del 20 de ENERO de 2020 de la asignatura FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA (Cod. 71011013) FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LAS TECNOLOGÍAS DE LA INFORMACIÓN (Cod. 71021017) En dicha tutoría estuvimos:
Estuvimos viendo los transistores de tipo MOS, a saber: los de acumulación (bien de canal N EnMOS o de canal P EpMOS) y los de deplexión, que a diferencia de los anteriores ya disponen de un canal inducido incluso cuando no hay tensión aplicada. Los MOS de deplexión también hay de canal n DnMOS y de canal p DpMOS. Cualquier de estos transistores podemos polarizándolos convenientemente hacer que se encuentren en dos estados: CORTE ó CONDUCCIÓN en función de la tensión en la puerta. Dentro de que esté en CONDUCCIÓN podrá estar en zona lineal para valores pequeños de la tensión del drenador o en SATURACIÓN (o corriente constante) cuando la tensión del drenador supere la tensión de la puerta Vg menos la tensión umbral Vt.
Para poder simular estos transistores y cualesquiera otros circuitos, podemos usar la página http://www.falstad.com/circuit/
Las puertas lógicas usando transistores bipolares. Las familias lógicas existentes son RTL, DTL Y TTL. Todas ellas usan el transistor bipolar y construyen el resto del circuito de polarización con resistencias, diodos y transistores respectivamente. Es muy interesante que visitéis los enlaces que aparecen en las diapositivas ya que os llevan a una página en la que podéis ver la simulación de la mayoría de puertas lógicas que aparecen en este tema.
